特許
J-GLOBAL ID：200903038818753554

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法

発明者：
武智 敏

武智 敏 について

, 
小太刀 明子

小太刀 明子 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-320105
公開番号（公開出願番号）：特開平10-161313
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 ArFリソグラフィに要求される高感度(5mJ/cm2 以下)を有しかつ安定したパターニング特性を得ることのできる化学増幅型レジスト材料を提供することを目的とする。【解決手段】 脂環式炭化水素基を含有しかつその基の炭素原子に-CH2-R(式中、Rは、メチル基、エチル基、プロピル基又はイソプロピル基である)が結合している部分を含む保護されたアルカリ可溶性基を有し、そしてそのアルカリ可溶性基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなるように、構成する。
請求項（抜粋）：
次式(I)により表される脂環式炭化水素基含有部分:【化1】(上式において、R1 は、メチル基、エチル基、プロピル基又はイソプロピル基を表し、そしてZは、記載の炭素原子とともに脂環式炭化水素基を完成するのに必要な複数個の原子を表す)で保護されたアルカリ可溶性基を有しかつ前記アルカリ可溶性基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
IPC (6件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027
FI (6件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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