特許
J-GLOBAL ID:200903074542494076

薄膜トランジスタマトリクス及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-241332
公開番号(公開出願番号):特開平8-106108
出願日: 1994年10月05日
公開日(公表日): 1996年04月23日
要約:
【要約】【目的】 液晶ディスプレイなどに用いられる薄膜トランジスタマトリクスの製造方法に関し、バスライン同士の交差部においてバスライン同士の短絡を防止し、液晶表示パネルの歩留まりの向上を図る。【構成】 分断部を有する下層バスライン2A/2B,3A/3Bを基板1上に形成する工程と、下層バスライン2A/2B,3A/3B上に第1の層間絶縁膜4を形成する工程と、下層バスライン2A/2B,3A/3Bの分断部と交差する上層バスラインDBを形成する工程と、全面に第2の層間絶縁膜8を形成する工程と、第1及び第2の層間絶縁膜4,8をエッチングし、除去して、分断部の両側の下層バスライン2A/2B,3A/3B上にそれぞれ開口C1/C2,C3/C4を形成する工程と、開口C1/C2,C3/C4を介して分断部の両側の下層バスライン2A/2B,3A/3Bを接続する接続導体層9A,9Bを形成する工程とを有する。
請求項(抜粋):
マトリクス状に交差配置された薄膜トランジスタのゲートバスライン又は補助容量バスラインになる下層バスラインと、前記薄膜トランジスタのドレインバスラインになる上層バスラインとのうちいずれかは前記下層バスライン及び前記上層バスラインの交差領域で分断部を有し、かつ分断された前記下層バスライン或いは前記上層バスラインはその上に設けられた絶縁膜に形成された開口を介して接続導体層により接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタマトリクス。
IPC (2件):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786
引用特許:
審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る