特許

J-GLOBAL ID：200903074547225650

固体撮像素子

発明者： 福永 典子 ,  皿井 孝明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-022810
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231915
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板に複数の受光素子(フォトダイオード)と、各受光素子から検出した信号電荷をそのまま転送、或いは電圧に変換して取り出す手段からなる撮像領域を少なくとも有し、撮像領域を少なくとも覆う複数の層の一つとして水素供給性を有するパシベーション膜がある固体撮像素子において、表面準位の原因となるダングリングボンドと結合してその表面準位をなくして暗電流を低減させる水素原子の供給効果を確保しつつ、ブルーの光に対する感度を高める、或いは近紫外線領域の光に対する感度を高める。【解決手段】 SiNからなるパシベーション膜11、32に、各受光素子(フォトダイオード)3、22に対応して、被写体側から受光素子3、22へ向かう光を通す通光孔11a、32aを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に複数の受光素子と、該各受光素子から検出した信号電荷をそのまま転送、或いは電圧に変換して取り出す手段からなる撮像領域を少なくとも有し、上記撮像領域を少なくとも覆う複数の層の一つとして水素供給性を有するパシベーション膜がある固体撮像素子において、上記パシベーション膜に、上記各受光素子に対応して、被写体側から該受光素子へ向かう光を通す通光孔を形成したことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 V ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A

Fターム (28件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA05 ,  4M118CA32 ,  4M118FA06 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5C024CX32 ,  5C024CX41 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ34 ,  5F049MA01 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049RA08 ,  5F049SZ12 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭63-044760
  
• 固体撮像素子及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-160230   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭63-044761
  
• 特開昭63-044760
  
• 特開昭63-044761
  
• 特開昭63-116458