半導体基板にパターン化されたレジスト層を形成する方法およびその方法に使用するレティクル

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111184
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061117
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】レティクル、およびレティクルを用いて半導体基板の上にパターン化されたフォトレジスト層を形成する方法を得ることである。【構成】基板にフォトレジスト層が被覆される。フォトレジスト層は、レティクルを透過させられる波長を有する放射波に選択的にさらされる。レティクルは少なくとも1つの第1の区域と、少なくとも1つの第2の区域と、少なくとも1つの第3の区域とを有する。第1の区域は第1の透過率を有する。第2の区域は第1の区域に隣接し、第1の透過率より低い第2の透過率を有する。第2の区域は、それを透過する放射の位相を、第1の区域を透過した放射の位相に対して180度推移させられる。第3の区域は第2の区域に隣接する。第3の区域はほぼ不透明であって、放射の透過をほぼ阻止する。フォトレジスト層は現像されて、少なくとも1つのフォトレジスト層開口部と少なくとも1つのフォトレジスト要素を含むパターン化されたフォトレジスト要素を形成する。

請求項（抜粋）：

基板にレジスト層を被覆する工程と、レティクルを通じて送られる波長を有する放射にレジスト層を選択的に露出する工程と、レジスト層を現像して、少なくとも1つのレジスト層開口部および少なくとも1つのレジスト要素を含むパターン化されたレジスト層を形成する工程と、を備え、前記レティクルは、第1の透過率を有する少なくとも1つの第1の領域と、第1の透過率より低い第2の透過率を有し、第1の領域に隣接する少なくとも1つの第2の領域であって、この第2の領域を通って送られた放射を第1の領域を通って送られた放射に対して位相を約180度推移させる少なくとも1つの第2の領域と、第2の領域に隣接し、十分に不透明であって、ほぼ全ての放射の透過を阻止する少なくとも1つの第3の領域と、を含む、半導体基板上にパターン化されたレジスト層を形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08

FI (3件)：

H01L 21/30 311 L , H01L 21/30 301 Z , H01L 21/30 311 G

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平4-025841
特許第4890309号
特開平4-136854

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