特許
J-GLOBAL ID：200903074616431020
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260614
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085562
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の封止膜を安価な装置で簡単に形成し、且つ、液状封止樹脂として粘度が比較的高いものを用いることができるようにする。【解決手段】 封止膜18をスクリーン印刷により形成する。この場合、印刷テーブル13内に設けられた平面型のヒータ15の発熱により、印刷テーブル13の温度は30〜50°C程度となっている。封止膜18を形成するための液状封止樹脂としては、粘度が50万〜150万cPS程度と比較的高いものを用いる。しかし、この液状封止樹脂は印刷テーブル13により加温され、30〜40°C程度となる。このため、この液状封止樹脂の粘度は5万〜20万cPS程度に低下する。そして、硬化後の封止膜18の粘度は元の50万〜150万cPS程度に戻る。
請求項（抜粋）：
複数の柱状電極が形成された半導体基板を加温しながら前記柱状電極間の前記半導体基板上に封止膜を所定の厚さに形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H01L 21/92 604 S
