特許
J-GLOBAL ID：200903074648865871
III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-054669
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245043
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】基板上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体素子チップのチップ分割面を傾斜面とする。【解決手段】サファイア基板10上にIII族窒化物系化合物半導体層から成る素子層30を形成し、素子層が形成されている側の第2の面12に第2の分離溝22が形成される。基板10の垂直面に対して傾斜した方向に分離予定面46を設定し、基板10の上から、レーザの照射による加工変質部が断続的に形成された破断線51〜5nが多段的に形成される。第1の面11上の分割線上に第1の分離溝21がスクライビングで形成される。各段の加工変質部分の破断線間の間隔を60μm以下とした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物系化合物半導体が積層された基板を分離して個々のIII 族窒化物系化合物半導体素子とする製造方法において、
前記基板の内部であって、基板に垂直な方向に対して傾斜した面であってチップに分割する分離予定面に沿ってパルスレーザを集光させて多光子吸収を発生させることにより、加工変質部分をこの分離予定面に沿って破断線状に形成し、
前記加工変質部分は、前記分離予定面上において前記基板の厚さ方向に沿って、60μm以下の間隔で多数の破断線として形成し、
外力を加えることにより、前記分離予定面で前記基板をチップに分離して、分離されたチップの基板側面を傾斜させた面とすることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, B23K 26/00
, B23K 26/40
, H01L 21/301
H01L33/00 C
, B23K26/00 D
, B23K26/40
, H01L21/78 B
, H01L21/78 R
, H01L21/78 T
4E068AA01
, 4E068AA05
, 4E068AD01
, 4E068AE01
, 4E068CA03
, 4E068CA09
, 4E068CA13
, 4E068DA10
, 4E068DB06
, 5F041CA40
, 5F041CA76
, 5F041CA77
