特許
J-GLOBAL ID：200903061756583390

光抽出を改善するためのテーパーづけ側壁を有するレーザ分離ダイ

発明者：
エリアシェヴィッチ、イワン

エリアシェヴィッチ、イワン について

, 
ゴットフリート、マーク

ゴットフリート、マーク について


出願人/特許権者：
エムコア・コーポレイション

エムコア・コーポレイション について


代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-543672
公開番号（公開出願番号）：特表2004-514285
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
LEDなどの個々の光電子デバイスをウェーハから分離する方法は、ある幅を有するレーザビーム(256)を半導体ウェーハの主表面に導くことを含む。レーザビームは、単位幅当り第1のエネルギーの第1の部分と、第1のエネルギーよりも小さい単位幅当り第2のエネルギーの第2の部分とを含むイメージを有する。レーザビームイメージ(266)は、半導体ウェーハの第1の主表面に切り込み、個々のデバイスを製造する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハからの個々の光電子デバイスの分離方法であって、 ある幅を有するレーザビームを前記ウェーハの第1の主表面に導き、前記デバイス間に位置する前記ウェーハの第1の部分に単位幅当り第1のエネルギーを加え、前記ウェーハの前記第1の部分に隣接する第2の部分に前記第1のエネルギーよりも小さい単位幅当り第2のエネルギーを加えるステップと、 前記第1の主表面を横切るように前記レーザビームをスイープして溝を形成するステップと、 少なくとも1つのデバイスを前記ウェーハから分離するステップと、 を含む、前記方法。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (3件)：
5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA76
引用特許：
審査官引用 (7件)
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