特許

J-GLOBAL ID：200903074655309364

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 佐久間 遵 ,  井上 文彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-110687
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306679
出願日： 1995年05月09日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 バーズビークの発生を抑制することができるLOCOS技術を提供する。【構成】 半導体表面を有する基板を準備する工程と、前記基板上に耐酸化性膜を堆積する工程と、乾燥雰囲気中において、前記耐酸化性膜を熱処理する工程と、前記耐酸化性膜をパターニングして前記半導体表面の一部領域に耐酸化性マスクを残す工程と、前記半導体表面の前記耐酸化性マスクで覆われていない領域を、ウェット雰囲気中で酸化しフィールド酸化膜を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体表面を有する基板を準備する工程と、前記基板上に耐酸化性膜を堆積する工程と、乾燥雰囲気中において、前記耐酸化性膜を熱処理する工程と、前記耐酸化性膜をパターニングして前記半導体表面の一部領域に耐酸化性マスクを残す工程と、前記半導体表面の前記耐酸化性マスクで覆われていない領域を、ウェット雰囲気中で酸化しフィールド酸化膜を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/76 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-155750
  
• 特開昭59-022343
  
• 素子分離膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-105442   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-273440