特許
J-GLOBAL ID:200903074692020420

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 隆久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-234031
公開番号(公開出願番号):特開平11-074468
出願日: 1997年08月29日
公開日(公表日): 1999年03月16日
要約:
【要約】【課題】電源電圧または共通電圧の何れか一方が開放状態となった場合、内部回路を静電気等の大振幅ノイズから有効に保護できない。【解決手段】半導体回路100と、当該内部回路100の電源電圧の供給端子VCCと共通電圧の供給端子VCOMの何れか一方にコレクタが接続され、他方にベースが接続され、信号端子Aにエミッタが接続され、信号端子Aに印加された大振幅電圧から内部回路100を保護する保護トランジスタ(例えば、寄生トランジスタTR+ )とを有する。好ましくは、保護トランジスタTR+ のコレクタが接続された一方の供給端子(例えば、VCOM)と、信号端子Aとの間に接続された保護ダイオード(例えば、Di- )を有する。さらに、ベースとコレクタの接続関係を逆にした負保護トランジスタを付加することもできる。
請求項(抜粋):
内部回路と、当該内部回路の電源電圧の供給端子と共通電圧の供給端子の何れか一方にコレクタが接続され、他方にベースが接続され、前記内部回路の信号端子にエミッタが接続され、前記信号端子に印加された大振幅電圧から前記内部回路を保護する保護トランジスタとを有する半導体装置。
IPC (3件):
H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件):
H01L 27/06 311 A ,  H01L 27/04 H
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 特開昭61-154060
  • 特開平2-054584
  • 特開昭61-255053
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