特許
J-GLOBAL ID：200903074705271193

電力用半導体装置

発明者：
篠原 利彰

篠原 利彰 について

, 
吉田 貴信

吉田 貴信 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-280665
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119667
出願日： 2002年09月26日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】電力用半導体素子の放熱効率が高く、かつ製造コストが低減された電力用半導体装置を得る。【解決手段】個別半導体装置1は、ケース本体5の上壁部とケース底板7とによって上下から挟み込まれることにより、ケースに固定されている。個別半導体装置1は、ケースに嵌合されることによって、ケース内の所定箇所に高精度に位置決めされて配設されている。個別半導体装置1の側面とケースの内壁とによって規定される空間が、個別半導体装置1を冷却するための冷媒の流路9を構成している。主電極2A,2B及び信号端子3を除いて、個別半導体装置1は冷媒中に浸漬されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
中空状のケースと、 外部接続用の端子を有する個別半導体装置と を備え、 前記個別半導体装置は、前記ケースに嵌合されることによって、前記端子が前記ケースの外部に突出しつつ、前記ケース内の所定箇所に位置決めされて配設されており、 前記個別半導体装置の表面と前記ケースの内壁とによって規定される空間が、前記個別半導体装置を浸漬して冷却するための冷媒の流路を構成している、電力用半導体装置。
IPC (3件)：
H01L23/473 ,  H01L23/34 ,  H01L23/40
FI (4件)：
H01L23/46 Z ,  H01L23/34 A ,  H01L23/40 C ,  H01L23/40 E
Fターム (9件)：
5F036AA01 ,  5F036BA10 ,  5F036BA24 ,  5F036BB01 ,  5F036BB41 ,  5F036BC03 ,  5F036BC09 ,  5F036BC17 ,  5F036BE01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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