光半導体装置およびその装置に組み込まれる光半導体素子

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-146818
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340574
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ素子の両端面から出射したレーザ光を共に出力光として使用する。【解決手段】レーザ光を放射する光透過窓を有するパッケージと、前記パッケージ内に配置されかつ両端面からレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記パッケージの内外に亘って形成されるリードと、前記光半導体素子の電極と前記リードとを電気的に接続するワイヤとを有し、前記レーザ光を光透過窓から外部に放射する光半導体装置であって、前記パッケージ内には前記光半導体素子の両端から出射したレーザ光の光路を変換する一対の平面鏡が配置され、2本のレーザ光を光透過窓から外に放射させるように構成されている。たとえば、レーザ光は平行光となって放射される。

請求項（抜粋）：

光を放射する光透過窓を有するパッケージと、前記パッケージ内に配置されかつ両端面から光を出射する端面発光型の光半導体素子と、前記パッケージの内外に亘って形成されるリードと、前記光半導体素子の電極と前記リードとを電気的に接続する接続手段とを有し、前記光半導体素子の端面から出射される光を前記光透過窓から外部に放射する光半導体装置であって、前記パッケージ内には前記光半導体素子の両端から出射した光の光路を変換する一対の波面変換素子が配置され、光を前記光透過窓から外に放射させるように構成されていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , G02B 26/10 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , G02B 26/10 D , H01L 33/00 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-264777
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-230548 出願人：ソニー株式会社
特開昭62-023163

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