特許

J-GLOBAL ID：200903074747956498

高密度ITO焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者： 鈴木 了
出願人/特許権者： 株式会社日鉱マテリアルズ
代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-088332
公開番号（公開出願番号）：特開2001-271160
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 スパッタリング時に発生するマイクロアークを抑制すると共に、ターゲット表面に発生するノジュールを低減し、ターゲット寿命全体に亘って安定的に一定条件でスパッタリング操業を行うことができるITO膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 相対密度が99.8%以上であり、焼結体ターゲット研磨面中に、2μm以上のポアが5個/mm2以下で1),Im2O3とSnO2の混合粉末を大気中1150°C以上で熱処理して、粉砕した後、酸素雰囲気中1530°C以上で焼結したことを特徴とする高密度ITO焼結体スパッタリングターゲット。

請求項（抜粋）：

相対密度が99.8%以上であり、焼結体ターゲット研磨面中に、2μm以上のポアが5個/mm2以下であることを特徴とする高密度ITO焼結体スパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z

Fターム (9件)：

4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD40 ,  4M104GG20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高密度ITO焼結体およびその製造方法並びにスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-096399   出願人：東ソー株式会社