特許
J-GLOBAL ID：200903074765630818
イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-288719
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270710
出願日： 2007年11月06日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】トランジスタ回路とフォトダイオードの新しい集積を有するイメージセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】イメージセンサは、回路領域が形成された半導体基板と、回路領域が形成された半導体基板と、該半導体基板上に形成された複数の金属配線及び層間絶縁膜を含む金属配線層と、該金属配線上に形成された下部電極と、該下部電極を囲むように形成された第1導電型伝導層と、該第1導電型伝導層を含む前記金属配線層の上部に形成された真性層と、前記第1導電型伝導層との間に配置されるように前記真性層を貫通して形成されたピクセル分離膜と、前記真性層とピクセル分離膜との間には形成された第2導電型伝導層と、を含む。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
回路領域が形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された複数の金属配線及び層間絶縁膜を含む金属配線層と、
前記金属配線上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された第1導電型伝導層と、
前記第1導電型伝導層を含む前記金属配線層の上部に形成された真性層と、
前記第1導電型伝導層の間に配置されるように前記真性層を貫通して形成されたピクセル分離膜と、
前記真性層とピクセル分離膜との間に形成された第2導電型伝導層と、
を含むイメージセンサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/14 A
, H01L27/14 E
, H04N5/335 E
4M118AB01
, 4M118BA07
, 4M118CA05
, 4M118CA32
, 4M118CB06
, 4M118CB14
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 5C024AX01
, 5C024BX01
, 5C024CX37
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024DX01
, 5C024GX03
, 5C024GY31
, 5C024GY39
