特許

J-GLOBAL ID：200903074771143309

研磨処理モニタ方法および装置

発明者： 藤原 成章
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013044
公開番号（公開出願番号）：特開平9-210636
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：

【要約】【課題】 多層膜基板の研磨処理を高速にモニタすることができる研磨処理モニタ装置を提供する。【解決手段】 光源11から出射される照明光61をミラー21により第1照明光61aと第2照明光61bとに分割する。第1照明光61aは研磨処理が施される多層膜基板31aに照射され、第2照明光61bは既に適正に研磨処理が施された多層の標準基板31bに照射される。多層膜基板31aからの第1反射光62aは凹面回折格子54aにより分光された後、受光素子55aに受光され、受光回路81aが波長と光量との関係であるモニタ波長プロファイルを求める。同様に、標準基板31bからの第2反射光62bの標準波長プロファイルが受光回路81bにより求められ、演算処理部82においてモニタ波長プロファイルと標準波長プロファイルとが比較される。その結果、多層膜基板の最上層以外の膜厚の影響を考慮する必要がなくなり、高速に研磨状況をモニタすることができる。

請求項（抜粋）：

研磨処理が施される多層膜基板の最上層の膜の膜厚をモニタする研磨処理モニタ方法であって、(a1)光源からの照明光を前記多層膜基板に照射する第1照明工程と、(a2)光源からの照明光を比較基準となる多層の標準基板に照射する第2照明工程と、(b1)前記多層膜基板からの第1反射光の波長と光量との関係を示すモニタ波長プロファイルを求める第1検出工程と、(b2)前記標準基板からの第2反射光の波長と光量との関係を示す標準波長プロファイルを求める第2検出工程と、(c)前記モニタ波長プロファイルと前記標準波長プロファイルとを比較して前記多層膜基板の最上層の膜の膜厚の適否を判断する判断工程と、を有することを特徴とする研磨処理モニタ方法。

IPC (3件)：

G01B 11/06 ,  B24B 49/12 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

G01B 11/06 Z ,  B24B 49/12 ,  H01L 21/304 321 M

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平4-361105
  
• 特開昭59-143904
  
• 研磨加工法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-075625   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平1-310866