特許
J-GLOBAL ID：200903074772751566

薄膜形成方法及び薄膜形成装置

発明者：
山脇 秀樹

山脇 秀樹 について

, 
宮垣 真治

宮垣 真治 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-192944
公開番号（公開出願番号）：特開2000-026974
出願日： 1998年07月08日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：
【要約】【課題】 特性の安定した高誘電率薄膜や強誘電体薄膜を溶液気化型CVD法により形成しうる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。【解決手段】 固体原料を溶媒に溶かした液体原料を気化器24により気化し、気化された原料ガスを成膜室36に導入して化学気相成長により薄膜を形成する薄膜形成方法において、気化器24内の圧力をほぼ一定に調整しながら液体原料を気化する。
請求項（抜粋）：
固体原料を溶媒に溶かした液体原料を気化器により気化し、気化された原料ガスを成膜室に導入して化学気相成長により薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記気化器内の圧力をほぼ一定に調整しながら前記液体原料を気化することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (5件)：
C23C 16/448 ,  C23C 16/455 ,  C30B 25/16 ,  C30B 29/30 ,  H01L 21/31
FI (5件)：
C23C 16/44 C ,  C23C 16/44 D ,  C30B 25/16 ,  C30B 29/30 B ,  H01L 21/31 A
Fターム (33件)：
4G051BA04 ,  4G051BA11 ,  4G051BB05 ,  4G051BC08 ,  4G051BC09 ,  4G051BG06 ,  4G051BH02 ,  4G051BH11 ,  4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DB08 ,  4G077DB11 ,  4G077DB21 ,  4G077EC09 ,  4G077HA11 ,  4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030KA49 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AE21 ,  5F045BB04 ,  5F045DP03
引用特許：
審査官引用 (6件)
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