特許

J-GLOBAL ID：200903074784810517

磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びにそれを用いた磁気ヘッド

発明者： 道嶋 正司 ,  ▲采▼山 和弘 ,  薦田 智久 ,  高橋 研
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012016
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216453
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 スピンバルブ構造の磁気抵抗効果膜を構成する第一の強磁性体層(自由層)の成膜条件を変更することなく第一の強磁性体層の粒径を制御可能な、磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びにそれを用いた磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 本発明に係る磁気抵抗効果膜は、基板上に、下地層、第一の強磁性体層、非磁性体層、第二の強磁性体層及び反強磁性体層が順に積層されてなる磁気抵抗効果膜において、前記第一の強磁性体層は、結晶粒径が5nm以上14nm以下である前記下地層の上に、エピタキシャル成長していることを特徴とする。その際、前記第一の強磁性体層の膜厚は2nm以上10nm以下が好ましく、前記反強磁性体層の膜厚は8nm以上が望ましい。本発明に係る磁気ヘッドは、上記構成の磁気抵抗効果膜を用いたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、下地層、第一の強磁性体層、非磁性体層、第二の強磁性体層及び反強磁性体層が順に積層されてなる磁気抵抗効果膜において、前記第一の強磁性体層は、結晶粒径が5nm以上14nm以下である前記下地層の上に、エピタキシャル成長していることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/18

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 A ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/18 ,  G01R 33/06 R

Fターム (21件)：

2G017AD54 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA21 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5E049DB20 ,  5E049EB01 ,  5E049GC01 ,  5E049GC08