特許

J-GLOBAL ID：200903074789647665

マイクロ波プラズマCVD装置

発明者： 丹花 通文 ,  北川 貴裕
出願人/特許権者： 東洋鋼鈑株式会社
代理人 (1件)： 太田 明男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-303245
公開番号（公開出願番号）：特開平8-134656
出願日： 1994年11月10日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：

【要約】【目的】 基体上に安定した均一なプラズマトーチを形成せしめ、ダイヤモンドなどの硬質皮膜を高効率で形成させる。【構成】 マグネトロンに全波整流後平滑化した直流電圧を印加してマイクロ波を発生させ、マイクロ波導波管から石英窓26を通過して真空容器27内に形成されるマイクロ波34の定在波の、石英窓面から数えて最初の0.5波長を除き、それ以降に生成する定在波の腹の部分34bに相当するように基体支持体28を設ける。さらに、真空容器内で基体支持体28と真空容器27とのなす空間に、プラズマトーチ形状制御手段32を設ける。

請求項（抜粋）：

マイクロ波導波管と、石英の窓を隔てて該マイクロ波導波管に連結された真空容器と、該真空容器内に配設された基体支持手段と、該真空容器にガスを供給するガス供給手段と、該真空容器内のガスを排気する真空排気手段と、該真空容器内にプラズマを生成させるプラズマ生成手段とからなるマイクロ波プラズマCVD装置において、プラズマトーチが形成される側とは反対側の、上記基体支持手段と真空容器とのなす空間に、プラズマトーチ制御手段を設けたことを特徴とするマイクロ波プラズマCVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/52 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-045653   出願人：株式会社ダイヘン
• 特開平4-056100