特許
J-GLOBAL ID：200903074794083320
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-238040
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102474
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】 半導体チップとキャリアフィルムとの接合部の封止を確実にすることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 半導体チップ20の表面の全域又は該全域に対応するキャリアフィルム30の領域に接着層13を形成する工程と、形成された前記接着層の電極パッド11に対応する領域に開口13-1を形成する工程と、前記半導体チップの前記電極パッドと前記キャリアフィルムの配線パターン32とを前記開口を通して接続する工程と、前記半導体チップと前記キャリアフィルムとを前記接着層を介して一体に貼り合わせる工程とを含む半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、絶縁フィルムの一方の主面に配線パターンを形成したキャリアフィルムとを有する半導体装置の製造方法において、表面に外部接続用の電極パッドを有するICが多数形成された半導体ウェハーの前記表面に接着層を形成する工程と、形成された前記接着層の前記電極パッドに対応する領域に第1の開口を形成する工程と、前記半導体ウェハーを前記IC毎に切り出して半導体チップを得る工程と、該半導体チップの前記電極パッドと前記キャリアフィルムの前記配線パターンとを前記第1の開口を通して接続する工程と、前記半導体チップと前記キャリアフィルムとを前記接着層を介して一体に貼り合わせる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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