パターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130489
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313295
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】剥離が容易で、かつ、低コストに下地用パターンの上に金属膜をパターニングすることができるプロセスを提供する。【解決手段】シリコン基板1の上に下地用パターン(アルミ薄膜)3と絶縁膜4が露出した状態で、プラズマ処理による表面改質を行い(F化し)、下地用パターン3では金属膜の剥離を発生させず絶縁膜部表面での剥離を容易にさせる。シリコン基板1の上に、金属膜を成膜し、その金属膜の上に、金属膜と下地との界面にかかる応力を調整するための応力調整膜を形成し、その後に、下地用パターン3の上の金属膜を残し絶縁膜4の上の金属膜を剥離する。

請求項（抜粋）：

基板(1,50)の上において下地用パターン(3,51,71)と絶縁膜(2,4,70)が露出した状態から、当該基板(1,50)の上に、金属膜(5)を成膜し、その後、下地用パターン(3,51,71)の上の金属膜(5)を残し前記絶縁膜(2,4,70)の上の金属膜(5)を剥離するパターン形成方法において、前記下地用パターン(3,51,71)では金属膜(5)の剥離を発生させず絶縁膜部表面での剥離を容易にさせる工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/88 T , H01L 23/12 Q

Fターム (27件)：

5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033MM08 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR22 , 5F033SS04 , 5F033VV07 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭52-126167
特開昭52-126167
金属電極パターン形成方法および金属膜剥離除去用接着シート
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-097188 出願人：日東電工株式会社, 株式会社デンソー

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