特許

J-GLOBAL ID：200903074807243186

酸化膜形成方法、酸化膜形成装置および電子デバイス材料

発明者： 北川 淳一 ,  井出 真司 ,  尾▲崎▼ 成則
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  吉井 一男 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-146228
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349546
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】酸化膜の膜厚コントロールが容易で、且つ、良質な酸化膜を与える酸化膜形成方法および酸化膜形成装置、およびこのような良質な酸化膜を有する電子デバイス材料を提供する。【解決手段】酸素および水素を少なくとも含む処理ガスの存在下で、酸素および水素に基づくプラズマを電子デバイス用基材の表面に照射して、該電子デバイス用基材の表面に酸化膜を形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

電子デバイス用基材を所定位置に配置するための処理チャンバと、 該処理チャンバ内に水蒸気を供給するための水蒸気供給手段と、 該水蒸気をプラズマ励起するためのプラズマ励起手段とを少なくとも含み、 前記水蒸気に基づくプラズマを電子デバイス用基材の表面に照射すること可能としたことを特徴とする酸化膜形成装置。

IPC (3件)：

H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76

FI (3件)：

H01L21/31 E ,  H01L21/316 S ,  H01L21/76 L

Fターム (20件)：

5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032CA05 ,  5F032CA07 ,  5F032CA17 ,  5F032DA53 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AD08 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH05 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-038140   出願人：アネルバ株式会社
• 111面方位を表面に有するシリコンを用いた半導体装置およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-376170   出願人：大見忠弘