特許

J-GLOBAL ID：200903086278757495

111面方位を表面に有するシリコンを用いた半導体装置およびその形成方法

発明者： 大見 忠弘 ,  須川 成利 ,  関根 克行 ,  斎藤 祐司
出願人/特許権者： 大見 忠弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-376170
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160555
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【目的】111面方位のシリコンをその表面に有するシリコンに形成されるトランジスタに適応される高品質なシリコン酸化膜、シリコン窒化膜を提供する。【構成】111面方位のシリコンをその表面に有するシリコン基体、または少なくとも1層の金属層上方に絶縁膜を介して設けられた111面方位をその表面に主体に有するシリコン層にトランジスタを複数含む半導体装置において、前記シリコンの表面に形成された絶縁膜の少なくとも一部がKrを含有するシリコン酸化膜ないしはArまたはKrを含有するシリコン窒化膜であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

111面方位のシリコンをその表面に有するシリコン基体にトランジスタを複数含む半導体装置において、前記シリコンの表面に形成された絶縁膜の少なくとも一部がKrを含有するシリコン酸化膜ないしはArまたはKrを含有するシリコン窒化膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 21/316 A ,  H01L 21/318 A

Fターム (10件)：

5F058BA11 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BF80

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-002408   出願人：株式会社東芝
• 特開昭59-013335