特許
J-GLOBAL ID：200903074826800592
酸化物超電導材料の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-123060
公開番号（公開出願番号）：特開平6-316496
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】 結晶方位の制御された大型の酸化物超電導材料の製造方法を提供する。【構成】 REBa2 Cu3 OX 系超電導バルク材料の作製方法である溶融法において、目的とする酸化物超電導体よりも包晶温度の高い配向した酸化物超電導結晶を結晶方位を揃えて複数箇所にそれぞれシーディングする。【効果】 弱結合として働く粒界のないバルク材の製造が可能になり、強い磁場を発生するマグネット、強い磁場を遮蔽するシールド材あるいは大きな電流を流す導電材料として利用できる。
請求項（抜粋）：
溶融・結晶成長を利用したREBa2 Cu3 Ox 系(REはY,La,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luからなる群から選ばれた1種以上の元素)超電導材料の製造方法において、結晶成長を行わせるREBa2 Cu3 Ox (以下RE1という)の原料酸化物の混合・成形体をRE1の包晶温度より高い温度に加熱せしめ、RE1よりも高い包晶温度を有する結晶方位の揃った複数のREBa2 Cu3 Ox (以下RE2という)種結晶の一結晶面を、RE1とRE2の包晶温度の間の温度で結晶方位を揃えてRE1の原料酸化物の混合・成形体上の複数の箇所に接触させ、RE1の包晶温度近傍で徐冷することによって、前記複数の箇所から結晶成長を行わせることを特徴とする結晶方位の揃った大傾角粒界のない酸化物超電導材料の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/22 501
, C01G 1/00
, C30B 11/14
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565
