特許
J-GLOBAL ID：200903074835237027
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-194717
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045912
出願日： 1995年07月31日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 ゲート保護用のツェナーダイオードを有する半導体装置において、ゲート・ソース間にリーク電流が発生するのを防止する。【解決手段】 MOSFETのゲート保護のためにゲート・ソース間に接続したツェナーダイオード19をN+/P/P+/P/N+構造とすることにより、P領域表面の反転によるリーク電流の発生をP+領域によって防止し、さらに、P+領域の幅によってツェナー電圧の制御を容易にする。
請求項（抜粋）：
ツェナーダイオードを有する半導体装置であって、ツェナーダイオードは、MOS型半導体装置のゲート・ソース間に接続され、該MOS型半導体装置のゲートを保護するものであって、濃度が異なる半導体の接合構造体からなるものであり、前記半導体の接合構造体は、チャネルストッパを有しており、前記チャネルストッパは、低濃度領域表面の反転によるリーク電流の発生を抑制するものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/76
, H01L 29/866
H01L 29/78 657 B
, H01L 21/76 S
, H01L 29/90 D
