特許
J-GLOBAL ID：200903074845138000
磁性薄膜メモリ素子及び磁性薄膜メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244991
公開番号（公開出願番号）：特開平9-091949
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 構造が単純な3層構造からなり、低抵抗でパワ-ロスが少なく、大容量化が可能な磁性薄膜メモリ素子および磁性薄膜メモリを提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁層を挟んで積層された、磁化容易軸が平行な第1磁性層及び第2磁性層を有し、該第2磁性層の保磁力は、該第1磁性層の保磁力より大きく、該第1磁性層と該第2磁性層との間で、トンネル効果が得られる部分があることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
請求項（抜粋）：
絶縁層を挟んで積層された、磁化容易軸が平行な第1磁性層及び第2磁性層を有し、該第2磁性層の保磁力は、該第1磁性層の保磁力より大きく、該第1磁性層と該第2磁性層との間で、トンネル効果が得られる部分があることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
引用特許：
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