特許

J-GLOBAL ID：200903074874677786

シリカベースの光ファイバの製造方法

発明者： ジェイムス ウィリアム フレミング ジュニア. ,  ジョン バーネット マッケニー ,  パトリック ウィリアム ウィスク ,  マン フェイ ヤン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-179740
公開番号（公開出願番号）：特開2001-031438
出願日： 2000年06月15日
公開日（公表日）： 2001年02月06日
要約：

【要約】【課題】 シリカベースの光ファイバ形成する方法を提供すること。【解決手段】 本発明の方法は、VAD法により生成されたコアロッドとこのコアロッドの上でMCVD法により生成されたチューブをコラップッスすることにより光プリフォームを形成し、この光プリフォームから光ファイバを引き抜く。本発明の方法は、コアロッドを高速で製造できるVAD法の利点と複雑な屈折率プロファイルを有する基板チューブを形成するMCVD法の両方の利点を利用している。その結果本発明の方法は、製造コストが低下することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(A) 最大屈折率ncを有するコア領域を含むシリカベースのコアロッドを用意するステップと、(B) nc未満の屈折率n1を有する第1クラッド材料層を含むシリカベースのクラッド材料層で前記コアロッドを包囲するステップと、(C) 前記コアロッド上に第1クラッド層をコラップッスするプロセスにより、光ファイバプリフォームを形成するステップと、(D) 前記光ファイバプリフォームから光ファイバを引き抜くステップと、を有し、(E) 前記用意されたコアロッドはVAD法により形成され、中心屈折率ディップが存在せず、(F) 前記第1クラッド層は、MCVD法により形成されシリカベースの基板チューブ内に第1クラッド材料を堆積して形成されることを特徴とするシリカベースの光ファイバの製造方法。

IPC (2件)：

C03B 37/012 ,  G02B 6/22

FI (2件)：

C03B 37/012 A ,  G02B 6/22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 希土類元素添加光ファイバ母材の製造方法及び希土類元素添加光ファイバの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-198492   出願人：日立電線株式会社
• 特開昭55-003382
  
• 特開昭56-117206
  
• 特開昭60-033225