特許
J-GLOBAL ID：200903074874838160
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩見谷 周志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-078367
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258317
出願日： 2006年03月22日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】 耐熱性及び低弾性率であるシリコーン系ダイボンド材を使用しつつ、低分子シロキサン成分の悪影響を抑制し、信頼性の高いワイヤーボンディングを安定して行なうことが可能である半導体装置の製造方法を提供する【解決手段】 加熱硬化性シリコーン系ダイボンド材を基板に塗布し、半導体素子を前記基板上の被塗布面に配置し、前記加熱硬化性シリコーン系ダイボンド材を加熱して硬化させ、前記半導体素子に付着した低分子量シロキサン成分を除去し、その後にワイヤーボンディングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】 なし。
請求項（抜粋）：
加熱硬化性シリコーン系ダイボンド材を基板に塗布し、半導体素子を前記基板上の被塗布面に配置し、前記加熱硬化性シリコーン系ダイボンド材を加熱して硬化させ、前記半導体素子に付着した低分子量シロキサン成分を除去し、その後にワイヤーボンディングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F047BA21
, 5F047BA23
, 5F047BB16
