特許

J-GLOBAL ID：200903074879566028

成膜装置および成膜方法およびクリーニング方法

発明者： 山崎 舜平 ,  村上 雅一
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-353774
公開番号（公開出願番号）：特開2003-313654
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：

【要約】【課題】 高純度、且つ、高密度のEL層を形成することができる成膜装置、およびクリーニング方法を提供する。【解決手段】 本発明は、基板を加熱する加熱手段で基板10を加熱し、さらに成膜室に接続された減圧手段(ターボ分子ポンプやドライポンプやクライオポンプなどの真空ポンプ)で5×10-3Torr(0.665Pa)以下、好ましくは1×10-3Torr(0.133Pa)以下として、蒸着源から有機化合物材料を蒸着させることにより成膜を行い、高密度なEL層を形成する。また、成膜室内で蒸着マスクをプラズマでクリーニングする。

請求項（抜粋）：

基板に対向して配置した蒸着源から有機化合物材料を蒸着させて前記基板上に成膜を行う成膜装置であって、前記基板が配置される成膜室には、蒸着源と、該蒸着源を加熱する手段と、マスクを加熱する加熱手段とを有し、前記成膜室は、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室と連結されていることを特徴とする成膜装置。

IPC (5件)：

C23C 14/24 ,  C23C 14/00 ,  C23C 14/12 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (6件)：

C23C 14/24 L ,  C23C 14/24 G ,  C23C 14/00 B ,  C23C 14/12 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (23件)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029BB02 ,  4K029BB03 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA02 ,  4K029DA01 ,  4K029DA08 ,  4K029DA10 ,  4K029DB06 ,  4K029DB14 ,  4K029FA01 ,  4K029FA09 ,  4K029HA03 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-055879   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭61-235553
  
• 成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-042851   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所