特許

J-GLOBAL ID：200903074892015197

半導体光増幅素子

発明者： 神徳 正樹 ,  曲 克明 ,  伊藤 敏夫 ,  河野 健治
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292072
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142814
出願日： 1993年11月22日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 活性層のスポットサイズが、単一モード光ファイバと整合した半導体光増幅素子を提供する。【構成】 共通光導波層104上に光増幅器が装荷されている領域Aと、共通光導波層104の上に光増幅器が装荷されていない領域Cと、前記領域Aと前記領域Cとの中間の領域Bとの3つの領域を形成し、前記領域Aにおける信号光の閉じ込めは、上下方向については前記活性層107と上側および下側SCH層108および106と前記共通導波層104とにより、左右方向については前記リッジ構造αにより行い、前記領域Cにおける信号光の閉じ込めは、上下方向については前記共通導波層104により、左右方向については前記リッジ構造Γにより行い、当該領域Cを伝搬する信号光のスポットサイズを前記領域Aを伝搬する信号光のスポットサイズよりも大きくする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、光信号が伝搬するための共通光導波層と、該共通光導波層の上に装荷された光増幅器とを有する半導体光増幅素子において、前記半導体光増幅素子は少なくとも、前記共通光導波層上に光増幅器が装荷されている領域Aと、共通光導波層の上に光増幅器が装荷されていない領域Cと、前記領域Aと前記領域Cとの中間の領域Bとの3つの領域からなり、前記領域Aの半導体光増幅器は少なくとも光信号を増幅するための活性層と、該活性層を上下から挟む上側および下側分離閉じ込め(SCH)層と、前記上側SCH層上に配されたクラッド層からなるリッジ構造αと、前記活性層に電流を注入するための上側および下側の2つの電極とを有し、前記領域Bは前記共通導波層と、この共通導波層上に装荷された前記下側SCH層と、前記クラッド層とを有し、かつ前記下側SCH層は前記領域Cに向って厚みおよび幅の少なくとも一方が変化しており、前記領域Cは前記共通導波層と、その上に配された前記クラッド層からなるリッジ構造Γとを有し、前記領域Aにおける信号光の閉じ込めは、上下方向については前記活性層と上側および下側SCH層と前記共通導波層とにより、左右方向については前記リッジ構造αにより行われ、前記領域Cにおける信号光の閉じ込めは、上下方向については前記共通導波層により、左右方向については前記リッジ構造Γにより行われ、かつ当該領域Cを伝搬する信号光のスポットサイズが前記領域Aを伝搬する信号光のスポットサイズよりも大きいことを特徴とする半導体光増幅素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/35 501

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭63-233584
  
• 光結合デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-299624   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭58-114476
  
• 特開昭57-183091