特許

J-GLOBAL ID：200903074899391739

半導体装置及びその製造方法

発明者： 古川 正樹
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (6件)： 萼 経夫 ,  中村 壽夫 ,  宮崎 嘉夫 ,  小野塚 薫 ,  田上 明夫 ,  ▲高▼ 昌宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-079608
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261552
出願日： 2005年03月18日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】 回路の高密度化等に伴う配線層の微細化傾向にあって、配線の信頼性を一層高めることのできる半導体装置の提供。【解決手段】 半導体基板1上に導電性を有する配線層2が形成され、この配線層2上にパッシベーション層3が覆い形成される半導体装置において、パッシベーション層3を、応力緩衝層4を介して配線層2上に覆い形成する。導電性を有する応力緩衝層4を、熱膨張係数が配線層2及びパッシベーション層3の各熱膨張係数の中間値を示し(第1要素)、かつ金との化学反応性の低い(第2要素)導電材料とした。応力緩衝層4の第1要素により、温度サイクルによって配線層2に生じる熱応力の影響をパッシベーション層3が受けにくくなり、パッシベーション層3の亀裂、配線層不良の発生が防止され、第2要素により、ボンディング時における金ワイヤ71との金属間化合物の生成、ボンディング不良の発生が防止され、配線の信頼性が一層高められる。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

半導体基板上に導電性を有する配線層が形成され、この配線層上にパッシベーション層が覆い形成される半導体装置において、 前記パッシベーション層は導電性を有する応力緩衝層を介して前記配線層上の少なくとも一部の領域に覆い形成され、 前記応力緩衝層は、熱膨張係数が前記配線層及びパッシベーション層の各熱膨張係数の中間値を示し、かつ金との化学反応性の低い導電材料からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/52 ,  H01L 21/320

FI (2件)：

H01L21/88 R ,  H01L21/88 T

Fターム (12件)：

5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS08 ,  5F033TT02 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 応力緩和層を有する半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-345700   出願人：東部電子株式会社