特許
J-GLOBAL ID：200903074904179433
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143608
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340560
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ素子の薄膜成長において、原料供給量の変動や反応管内部の状態変化に伴い層厚変動が生じることが問題となっているが、これらを把握し、パラメーター設定条件を確立又は見直すために現状では定期的に複数回のチェック用成長が製造の合間に実施されている。しかしながら、チェック用成長は素子の製造プロセスとは全く異なっており、作業が煩雑になるばかりでなく、製造コストにも影響が大きいものとなっていた。【解決手段】 活性層と同一組成のモニタ層を素子特性に影響しない条件でレーザ素子構造に作り込むことによって、毎回の成長で該モニタ層の成長速度を測定し、しかも同一成長内の活性層にフィードバックし、高精度な層厚制御を可能とするため、ロット間の層厚バラツキがなく、素子歩留まりが向上する。また、従来のようなチェック用の確認成長が不要となるため、大幅なコスト低減を実現できる。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも、第1導電型下クラッド層、活性層、及び第2導電型上クラッド層とを形成してなる半導体レーザ素子において、前記第1導電型下クラッド層と基板との間に、前記活性層と同一組成の成長速度モニタ層を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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