特許

J-GLOBAL ID：200903074936389367

光触媒を用いた微細加工方法及び装置

発明者： 山崎 和則
出願人/特許権者： 住友重機械工業株式会社
代理人 (1件)： 高矢 諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-138860
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334856
出願日： 2001年05月09日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 光触媒による加工を実現して、原子分子レベルの精密な除去加工を可能とし、加工変質層を生じることなく、加工工程数を低減し、装置も単純化する。【解決手段】 電解質溶液14中でワーク10の表面に光触媒膜20を近接させて配置し、該光触媒膜20に、そのバンドギャップ以上の量子エネルギを持った光26を照射して、光触媒の表面で電解質溶液14から反応性ラジカルを発生させ、該反応性ラジカルとワーク10を化学反応させ、反応生成物として除去する。

請求項（抜粋）：

電解質溶液中で加工対象物の表面に光触媒を近接させて配置し、該光触媒に、そのバンドギャップ以上の量子エネルギを持った光を照射して、光触媒の表面で電解質溶液中から反応性ラジカルを発生させ、該反応性ラジカルと加工対象物を化学反応させ、反応生成物として除去することを特徴とする光触媒を用いた微細加工方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 621 ,  B01J 35/02 ,  C23F 1/00 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/304 621 Z ,  B01J 35/02 J ,  C23F 1/00 Z ,  H01L 21/306 M

Fターム (27件)：

4G069AA02 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA04B ,  4G069BA14B ,  4G069BA48A ,  4G069CD10 ,  4G069DA05 ,  4G069EA08 ,  4K057WA11 ,  4K057WB02 ,  4K057WB04 ,  4K057WB06 ,  4K057WB08 ,  4K057WD01 ,  4K057WE22 ,  4K057WE25 ,  4K057WM01 ,  4K057WM03 ,  4K057WN01 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD08 ,  5F043DD14 ,  5F043DD30 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-367288   出願人：株式会社東芝