特許
J-GLOBAL ID：200903074947303766
半導体装置、その製造方法及びその製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162452
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032096
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体膜を用いた半導体装置の製造方法および製造装置において、歩留まりおよび生産性を改善する。また、半導体膜を用いた半導体装置の性能を改善する。【構成】 半導体膜1の分離の際に、半導体膜1と基板100との間に水11または水溶液を充満させ、半導体膜1を基板面と平行に滑らせて分離する。つまりその装置は、基板100および半導体膜1をセットすることのできる大きさの平坦な第1の領域と第2の領域を有し、第1の領域および第2の領域の間に基板1の厚さより小さく、かつ基板100の厚さの半分以上の段差を設け、基板100を段差に引っ掛け、半導体膜1を基板100から分離するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体膜の表面、この表面から裏面に達する貫通穴の内壁、及び前記半導体膜の裏面の貫通穴の周辺に拡散層が設けられており、前記拡散層に接続された電極及びもう一方の極の電極の両方を前記半導体膜の裏面側に設けた構造の半導体装置において、前記拡散層に接続された電極の前記拡散層への接触部及びもう一方の極の電極の前記半導体膜への接触部を除いて、前記半導体膜を絶縁膜で被覆したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01L 21/205
, H01L 21/306
H01L 31/04 A
, H01L 21/306 C
, H01L 31/04 E
