特許
J-GLOBAL ID：200903075015456880
高電子移動度半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082180
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279609
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 高電子移動度半導体装置に関し、シングル、ダブル、マルチ、何れのチャネル構造をもつHEMTに於いても、歪み格子型の二次元キャリヤ・ガスを利用した場合の問題、即ち、その歪み格子型に起因するチャネル幅に対する制限を解消し、キャリヤ供給層から歪みチャネル層内に生成される二次元キャリヤ・ガス層に供給されるキャリヤの濃度を増大できるように、或いは、チャネルへのキャリヤの滲み出しを抑制できるようにし、その結果、大電流を流し得るようにして、高出力化及び諸特性の向上を実現させる。【構成】 i-In0.3 Ga0.7 As歪みチャネル層3A内に半絶縁性GaAs基板1と格子定数が等しいi-GaAs歪み緩和層3Bの少なくとも一層を導入したチャネル積層体3を備える。
請求項（抜粋）：
化合物半導体歪みチャネル層内に基板と格子定数が等しい化合物半導体歪み緩和層の少なくとも一層を導入したチャネル積層体を備えてなることを特徴とする高電子移動度半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
