特許
J-GLOBAL ID：200903075021665547
中間層を含む半導体ヘテロ接合
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-027067
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241778
出願日： 2004年02月03日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】 複雑なエピタキシャル成長ステップやMOVPEリアクタのハードウェア設計等に依存せずに、特性の優れたヘテロ接合を形成する。【解決手段】 第1の半導体材料を含み、第1の導電型である第1の領域116と、第2の半導体材料を含み、第2の導電型である第2の領域108と、第1の領域116と第2の領域108との間にある中間層110とを含んでなり、第1の領域116と中間層110と第2の領域108とのバンドの並びが、伝導帯に束縛状態がなく、価電子帯に束縛状態がないものである半導体ヘテロ接合およびこれを用いたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ100を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の半導体材料を含み、第1の導電型である第1の領域と、
第2の半導体材料を含み、第2の導電型である第2の領域と、
該第1の領域と該第2の領域との間にある中間層と
を含んでなり、
前記第1の領域と該中間層と前記第2の領域とのバンドの並びが、伝導帯に束縛状態がなく、価電子帯に束縛状態がないものである半導体ヘテロ接合。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F003BA92
, 5F003BE02
, 5F003BE04
, 5F003BF06
, 5F003BF08
, 5F003BG06
, 5F003BM03
, 5F003BP31
, 5F003BP32
