特許
J-GLOBAL ID：200903022138450766

半導体レーザ構造

発明者：
宮澤 誠一

宮澤 誠一 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241997
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068790
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】バンドオフセット△Ecが大きく取れる構成を有して温度特性の良い半導体レーザ構造である。【解決手段】半導体レーザ構造は、活性層14とバリア層15を有し、活性層14とバリア層15を挟むクラッド層12、17を有する。InPとは格子整合しない格子定数を有するInAlAs12、17を層中に有している。
請求項（抜粋）：
活性層とバリア層を有し、該活性層とバリア層を挟むクラッド層を有する半導体レーザ構造であって、InPとは格子整合しない格子定数を有するInAlAsを層中に有していることを特徴とする半導体レーザ構造。
Fターム (10件)：
5F073AA74 ,  5F073BA02 ,  5F073CA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CA13 ,  5F073CA14 ,  5F073CA15 ,  5F073CA17 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (5件)
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