特許
J-GLOBAL ID：200903075050473444
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-253750
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088109
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】半導体ウエハの厚さを薄くするとともに、半導体ウエハを分離して個々の半導体装置に分離する半導体装置の製造方法において、個片化された半導体装置の側面に保護テープの粘着材残渣が発生しにくいようにする。【解決手段】ダイシングストリート22に沿って封止膜11の上面側から半導体ウエハ21の途中に達するまでのストレート状の第1の溝24を形成するともに、ダイシングストリート22およびその両側の領域における封止膜11に断面ほぼV字状の第2の溝26を形成する。次に、封止膜11上に粘着材28を有する保護テープ27を貼り付ける。次に、半導体ウエハ21の裏面を少なくとも第1の溝24が露呈するまで研削する。この後、保護テープ27を剥離する。この場合、断面ほぼV字状の第2の溝26の傾斜面に粘着材残渣が残りにくいようにすることができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数の突起電極が形成され、前記突起電極の周囲に封止膜が形成された半導体装置において、少なくとも前記封止膜の上部の側面が傾斜面となっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/78 L
, H01L23/12 501P
, H01L21/78 Q
, H01L21/78 M
