特許
J-GLOBAL ID：200903075052391224
薄膜トランジスタの製造方法及びアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-197658
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041515
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVDや常圧CVDにて量産されたゲート絶縁膜の改質時に生じるガラス基板の縮み、反り、割れ等を防止し、TFT製造時の歩留まり向上を図ると共に、TFTの特性、液晶表示装置の表示品位向上を図る。【解決手段】 ガラス基板20上にてパターニングされたポリシリコン膜40上にゲート絶縁膜24を形成した後、2.45GHzのマイクロ波23を照射して、ゲート絶縁膜24中の水分を誘電発熱により脱離し、ゲート絶縁膜24を改質する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上にゲート絶縁膜を介し半導体層及びゲート配線層を有し更に層間絶縁膜を介し信号配線層を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜に3MHz以上30GHz以下の電磁波を照射する工程とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/316
H01L 29/78 617 V
, H01L 21/316 P
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 627 Z
