特許

J-GLOBAL ID：200903095716852187

ゲート絶縁膜の形成方法

発明者： 佐野 直樹 ,  原 昌輝 ,  関谷 光信 ,  鮫島 俊之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187371
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055988
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 フラットバンド電圧のシフトの低減化をはかる。【構成】 半導体基板2上に、基板温度を、100°Cを超え250°C未満の温度範囲に選定してプラズマプロセスによってゲート絶縁膜26を成膜する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、基板温度を、100°Cを超え250°C未満の温度範囲に選定してプラズマプロセスによってゲート絶縁膜を成膜することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/62 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-019340
  
• 薄膜状半導体装置の作製方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191934   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196097   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-007843