特許
J-GLOBAL ID：200903095716852187
ゲート絶縁膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187371
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055988
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 フラットバンド電圧のシフトの低減化をはかる。【構成】 半導体基板2上に、基板温度を、100°Cを超え250°C未満の温度範囲に選定してプラズマプロセスによってゲート絶縁膜26を成膜する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、基板温度を、100°Cを超え250°C未満の温度範囲に選定してプラズマプロセスによってゲート絶縁膜を成膜することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 29/43
H01L 29/78 617 V
, H01L 29/62 G
