特許
J-GLOBAL ID:200903075060961200
パワーモジュール用基板及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-177425
公開番号(公開出願番号):特開2008-010520
出願日: 2006年06月28日
公開日(公表日): 2008年01月17日
要約:
【課題】セラミック基板に破壊を発生させることなく、必要な部位の銅板厚さを厚くして半導体素子からの発熱を速やかに放熱することができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】セラミック基板11の一方の主面に半導体素子を搭載するためのマウント用銅板13を有する回路銅板12と、他方の主面に半導体素子からの発熱を放熱するためのベタ銅板14が接合されて有するパワーモジュール用基板10において、マウント用銅板13上にこれより外形の大きさが小さい第1の追加重ね銅板15、ベタ銅板14上にこれより外形の大きさが小さい第2の追加重ね銅板16が接合され、しかも、第1の追加重ね銅板15の外周囲とマウント用銅板13との間、及び第2の追加重ね銅板16の外周囲とベタ銅板14との間のそれぞれに階段17、17aを有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
セラミック基板の一方の主面にそれぞれの領域が独立する銅板の複数個で回路を形成し、該複数個の中に半導体素子を直接搭載するための少なくとも1つのマウント用銅板を有する回路銅板と、他方の主面に前記半導体素子からの発熱を前記マウント用銅板を介して放熱するための1又は複数個からなるベタ銅板が接合されて有するパワーモジュール用基板において、
前記マウント用銅板上に該マウント用銅板より外形の大きさが小さい第1の追加重ね銅板が接合されて有すると共に、前記ベタ銅板上に該ベタ銅板より外形の大きさが小さい第2の追加重ね銅板が接合されて有し、しかも、前記第1の追加重ね銅板の外周囲と前記マウント用銅板との間、及び前記第2の追加重ね銅板の外周囲と前記ベタ銅板との間のそれぞれに階段を有することを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (4件):
H01L 23/36
, H01L 23/12
, H05K 1/02
, H05K 3/20
FI (4件):
H01L23/36 C
, H01L23/12 J
, H05K1/02 F
, H05K3/20 Z
Fターム (32件):
5E338AA02
, 5E338AA18
, 5E338BB72
, 5E338CC01
, 5E338CC08
, 5E338CC10
, 5E338CD07
, 5E338CD23
, 5E338EE02
, 5E338EE28
, 5E343AA02
, 5E343AA24
, 5E343BB08
, 5E343BB24
, 5E343BB62
, 5E343BB67
, 5E343DD52
, 5E343DD62
, 5E343EE43
, 5E343EE60
, 5E343ER32
, 5E343ER54
, 5E343FF08
, 5E343GG01
, 5F136BB04
, 5F136DA27
, 5F136FA03
, 5F136FA14
, 5F136FA16
, 5F136FA75
, 5F136GA02
, 5F136GA40
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
特開昭59-121890号公報
-
Al-セラミックス複合基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-122156
出願人:同和鉱業株式会社
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