特許

J-GLOBAL ID：200903075101156430

SiCOI基板を備えたショットキーパワーダイオード、およびその製造方法

発明者： テムプリエル,フランセス ,  バイロン,シエリー ,  ダニエル,ニコラス
出願人/特許権者： コミツサリア タ レネルジー アトミーク ,  ソイテック
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-575425
公開番号（公開出願番号）：特表2005-531127
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

本発明は、埋め込み絶縁層(14)により固体キャリア(12)から絶縁されたシリコンカーバイドの層(16)を有するSiCOI型の基板(10)を備えるパワージャンクションデバイスに関し、この装置は、第1の金属層(40)とシリコンカーバイドの表面層(16)との間に少なくとも1つのショットキー接触部を有し、第1の金属層(30)がアノードを構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁体の埋め込み層(14)により固体基体(12)から絶縁されたシリコンカーバイドの層(16)を有するSiCOI型の基板(10)を備え、アノードを構成する第1の金属層(40)とシリコンカーバイドの表面層(16)との間に少なくとも1つのショットキーコンタクトを有することを特徴とするパワージャンクションデバイス。

IPC (4件)：

H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

FI (4件)：

H01L29/48 F ,  H01L29/48 P ,  H01L29/48 D ,  H01L29/80 B

Fターム (17件)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GL02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第6229179号
  
• 米国特許第6127703号
  
• 特開昭51-009383
  
• 半導体オン絶縁体特にSiCOI構造を製造する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-529740   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク

審査官引用 (3件)

• 特開昭51-009383
  
• 半導体オン絶縁体特にSiCOI構造を製造する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-529740   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• 特開昭51-009383