特許
J-GLOBAL ID：200903062426595576

半導体オン絶縁体特にSiCOI構造を製造する方法

発明者：
レア・ディ・チオッチオ

レア・ディ・チオッチオ について


出願人/特許権者：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

コミツサリア タ レネルジー アトミーク について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-529740
公開番号（公開出願番号）：特表2002-502119
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2002年01月22日
要約：
【要約】【課題】 キャリヤ基板とこのキャリヤ基板の一面上に形成した半導体材料層とをを備えた構造を形成する方法を提供することである。【解決手段】 a)第一基板(10)の一方の面上に半導体材料層(12)を形成する段階と、b)第一基板の面の下の、半導体材料層(12)の近傍にイオンを注入し、第一基板(10)に表面層(18)を規定する、半導体材料層に接触する劈開ゾーンと呼ばれるゾーン(16)を形成する段階と、c)半導体材料層(12)を用いて、第一基板(10)をキャリヤ基板(20)上に移す段階であって、半導体材料層がキャリヤ基板(20)と一体に形成されている段階と、d)劈開ゾーン(16)に沿って第一基板の劈開を行うためのエネルギーを供給する段階であって、第一基板の表面層(18)はこの劈開の間半導体層(12)とキャリヤ基板(20)とに一体のままである段階と、e)表面層(18)を除去して半導体材料層(12)を露出する段階と、を備えたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
キャリヤ基板(20)とこのキャリヤ基板の一面上に形成した半導体材料層(12)とを備えた構造を製造する方法であって、 a)第一基板(10)の一方の面上に半導体材料層(12)を形成する段階と、 b)前記第一基板の前記面の下の、前記半導体材料層(12)の近傍にイオンを注入し、前記第一基板(10)に表面層(18)を規定する、前記半導体材料層に接触する劈開ゾーンと呼ばれるゾーン(16)を形成する段階と、 c)半導体材料層(12)を用いて、第一基板(10)をキャリヤ基板(20)上に移す段階であって、半導体材料層が前記キャリヤ基板(20)と一体に形成されている段階と、 d)前記劈開ゾーン(16)に沿って第一基板の劈開を行うためのエネルギーを供給する段階であって、第一基板の表面層(18)はこの劈開の間半導体層(12)とキャリヤ基板(20)とに一体のままである段階と、 e)前記表面層(18)を除去して半導体材料層(12)を露出する段階と、を備えたキャリヤ基板とこのキャリヤ基板の一面上に形成した半導体材料層とを備えた構造の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/84
FI (4件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/84 ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 R
Fターム (19件)：
5F032AA06 ,  5F032AA09 ,  5F032AA91 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032DA06 ,  5F032DA12 ,  5F032DA13 ,  5F032DA24 ,  5F032DA45 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F052GC03 ,  5F052GC06 ,  5F052JA07 ,  5F052JA10 ,  5F052KA10 ,  5F052KB05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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