特許

J-GLOBAL ID：200903075102317756

磁気的に軟らかい基準層を有する磁気抵抗素子のための読出し方法

発明者： ルン・ティー・トラン ,  マニシュ・シャーマ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-273429
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151263
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】磁気的に軟らかい基準層を有する磁気抵抗素子のための読出し方法の提供。【解決手段】磁気抵抗素子(10)は、異なる保磁力を有するデータ層(12)と基準層(14)とを含む。各層は、2つの方向の何れかに配向され得る磁化を有する。メモリ素子(10)は、基準層の磁化を既知の向きに一時的に設定し(110,210)、素子の抵抗状態を判定する(112,212)ことにより読み出され得る。

請求項（抜粋）：

データ層および基準層を含む磁気抵抗素子において読出し操作を実行する方法であって、前記基準層の磁化を既知の向きに一時的に設定すること(110、210)、及び前記素子の抵抗状態を判定すること(112、212)からなる、方法。

IPC (3件)：

G11C 11/15 150 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 150 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA30 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,259,644号明細書
  

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-182152   出願人：松下電器産業株式会社