特許
J-GLOBAL ID：200903075126791556
複合基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061504
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260734
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 使用するデバイスに合った複合基板を提供する。【解決手段】 単結晶間の接合にそれぞれの単結晶と相性の良い中間層を形成したこと、接合部上にエピタキシャル成長した表層膜を形成し溝を埋めたことにより極めて平坦な複合基板ができる。そのため目的に合った様々な結晶を組み合わせることが可能になり設計の自由度が上がりデバイスの小型、モノリシック化、高性能化が図れる。
請求項（抜粋）：
2つ以上の単結晶を接合した複合基板の製造方法であって単結晶を接合した後少なくとも接合部の基板の表面に基板と同じ結晶構造を有する膜をエピタキシャル成長させる工程を有することを特徴とする複合基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 39/24 ZAA
, H01L 39/24
, H01L 21/02
, H01L 39/02 ZAA
H01L 39/24 ZAA C
, H01L 39/24 ZAA W
, H01L 21/02 B
, H01L 39/02 ZAA W
