発振回路および不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-051173
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018408
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 MOS型半導体集積回路装置において、リング発振回路の低電圧領域での十分な発振周波数を確保すると共に高電圧領域での発振周波数の上昇を抑え、消費電流の低減を可能とする。【構成】 P型MOSエンハンスメントトランジスタ21とN型MOSデプレッショントランジスタ22により構成される第一の定電圧発生回路2aとN型MOSデプレッショントランジスタ23とN型MOSエンハンスメントトランジスタ24により構成される第二の定電圧発生回路2bを有し、リング発振回路を構成する各インバータ回路25の間に接続されたトランスミッションゲート26のP型MOSトランジスタのゲート電極には第一の定電圧発生回路で発生された第一の一定電圧が印加され、前記トランスミッションゲート26のN型MOSトランジスタのゲート電極には第二の定電圧発生回路で発生された第二の一定電圧が印加される。このようなリング発振回路によれば小型で長寿命のEEPROMからなる電子装置が実現できる。

請求項（抜粋）：

奇数個のインバータ回路をリング状に接続したリング発振回路において、前記インバータ回路の電源として、MOS型トランジスタからなる定電圧発生回路を設けたことを特徴とする発振回路。

IPC (3件)：

H03K 3/354 , G11C 16/06 , H03K 3/03

引用特許：

審査官引用 (15件)

リングオシレータ及び発振方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-254592 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平3-252216
特開昭63-189010

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