特許
J-GLOBAL ID：200903075137704892

窒化ガリウム系化合物半導体素子

発明者：
上村 俊也

上村 俊也 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-071294
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251633
出願日： 1998年03月04日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】n型窒化ガリウム系化合物半導体の層のエッチングによる上部露出面の面積は小さいほど、活性層の発光面積を広く取ることができるため、高光度を実現する上で望ましが、「(n型窒化ガリウム系化合物半導体層の上部露出面の面積)>(負電極の上部露出面の面積)≧(バンプ形成に必要な面積)」なる制約があるため、活性層の発光面積を十分には広く取ることができない。【解決手段】下層側に形成されたn型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上部露出面または側壁面より、n型窒化ガリウム系化合物半導体の層より上側に形成された各層の各側壁面を経て、p型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上部露出面またはp型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上に形成された正電極の上部露出面にまで渡って絶縁性保護膜を形成し、n型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上部露出面より、この絶縁性保護膜上に渡って負電極を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、下層側に形成されたn型窒化ガリウム系化合物半導体の層のエッチングによる上部露出面または前記n型窒化ガリウム系化合物半導体の層のエッチングによる側壁面より、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体の層より上側に形成された各層の各側壁面を経て、p型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上部露出面または前記p型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上に形成された正電極の上部露出面にまで渡って形成された絶縁性保護膜と、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上部露出面より、前記絶縁性保護膜上に渡って形成された負電極とを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
引用特許：
審査官引用 (4件)
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