特許

J-GLOBAL ID：200903075138497580

窒化物半導体レーザ素子

発明者： 岩佐 成人 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273293
公開番号（公開出願番号）：特開2002-084035
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】 室温で連続発振可能な窒化物半導体レーザ素子を実現する。【解決手段】 基板上に形成されたn型層、活性層及びp型層を有する窒化物半導体レーザ素子において、n型層側に電流狭窄層を設け、該電流狭窄層をp型又はi型のAlxGa1-xN(0≦x≦1)とした。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたn型層、活性層及びp型層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記n型層側に電流狭窄層が設けられ、該電流狭窄層はp型又はi型のAlxGa1-xN(0≦x≦1)からなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01S 5/223 ,  H01S 5/323

Fターム (10件)：

5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-149498
  
• 特開平2-094686
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203084   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平2-219090