特許
J-GLOBAL ID:200903075140417500

ガスセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 塩入 明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-232953
公開番号(公開出願番号):特開平6-058899
出願日: 1992年08月06日
公開日(公表日): 1994年03月04日
要約:
【要約】【目的】 アミン化合物やフレオンに高感度なガスセンサを提供する。【構成】 金属酸化物半導体膜上に電極を積層し、金属酸化物半導体膜と電極とを触媒膜で被覆する。アンモニア検出の場合、触媒膜が無いとアンモニアの酸化で生じたNOやNO2等が負荷電吸着し感度が抑制される。触媒層で被覆することにより、アンモニアを部分的に分解して活性化し感度を高め、かつNOやNO2の負荷電吸着を抑制してさらに感度を高める。電極を金属酸化物半導体膜上に積層し、触媒膜で生じた短寿命の活性種を金属酸化物半導体膜の表面で検出する。同様にフレオン検出の場合、触媒膜でフレオンを活性化し、塩素やフッ素系の生成物を触媒膜で除いて、フレオンを検出する。
請求項(抜粋):
絶縁基体上に、ガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半導体を設けると共に、この金属酸化物半導体膜上に電極を形成し、かつ電極と前記の金属酸化物半導体膜とを被覆するように触媒膜を設けた、ガスセンサ。

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