特許
J-GLOBAL ID：200903075140917589
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098795
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291137
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 レーザーアニールを行うと、絶縁膜上のPolySiは温度が上昇しすぎてしまうなど、局部的な温度上昇が生じるという問題があったので、これを解決した半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基体1上に形成された第1絶縁膜7と、この絶縁膜に形成された開口部とを有し、開口部で前記半導体基体と接し、第1絶縁膜上まで延在する形で導電膜9が形成された構造を有する半導体装置の製造方法において、前記開口部及びその近傍と、その他の部分で膜厚の異なる補助膜19を形成し、エキシマレーザ光を照射する。
請求項（抜粋）：
半導体基体上に形成された第1絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された開口部とを有し、前記開口部で前記半導体基体と接し、前記第1絶縁膜上まで延在する形で導電膜が形成された構造を有する半導体装置の製造方法において、前記開口部及びその近傍と、その他の部分で膜厚の異なる補助膜を形成し、エキシマレーザ光を照射する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/268
, H01L 21/28 301
