特許
J-GLOBAL ID：200903075156894880

発光ダイオードおよびその製造方法

発明者：
石橋 和博

石橋 和博 について

, 
大友 晃治

大友 晃治 について

, 
根井 正美

根井 正美 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-374139
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142194
出願日： 2003年11月04日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】薄型に形成して所定の色度を得ることができ、簡単に製造できる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】サブマウント素子9上に半導体発光素子10を搭載し、この半導体発光素子10を蛍光体12aを含んだ第1の樹脂層5aで覆って形成した半導体発光装置4と、この半導体発光装置4を、凹部20内の底面6に搭載した基材2とを備えた発光ダイオード1において、凹部20内の第1の樹脂層5aの側面は、蛍光体12を含む第2の樹脂層5bで覆われていることを特徴とする発光ダイオード1としたものであり、表面7側に出射される光は第1の樹脂層5aの表面側を通過し、側方に出射される光は第1の樹脂層5aの側面および第2の樹脂層5bを通過するので、側方に出射される光により励起される蛍光体12の量が増え、側方に出射される光の色度が、蛍光体12,12aの発光色側に移動する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
サブマウント素子上に半導体発光素子を搭載し、この半導体発光素子を蛍光体を含んだ第1の樹脂層で覆って形成した半導体発光装置と、この半導体発光装置を、凹部内の底面に搭載した基材とを備えた発光ダイオードにおいて、 前記凹部内の前記第1の樹脂層の側面は、蛍光体を含む第2の樹脂層で覆われていることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (10件)：
5F041AA11 ,  5F041AA47 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DA56 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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