特許

J-GLOBAL ID：200903075168625826

パターン転写用マスク、マスク作製方法及び露光方法

発明者： 太田 和哉
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370037
公開番号（公開出願番号）：特開2004-170948
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】 欠陥のあるマスクブランクスの歩留まりを向上させマスクコストを低減できるマスク作製方法等を提供する。【解決手段】 パターン転写用マスク10は、パターン形成前の中間材であるマスクブランクスの全ての欠陥DFに回路パターンPが重なるように、回路パターンPのXY方向へのシフト、Z軸回りの回転、及び、XY方向の倍率及び/又は直交を含む補正を行って作製されている。これにより、欠陥があるマスクも露光に使用することができ、コストが低減される。露光時には、投影光学系及び/又はステージ動作に前記補正の逆の補正を行って本来の設計パターンを復元するように露光する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

感応基板上に露光・転写すべき回路パターンが形成されているマスクであって、 該マスクのパターン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥に回路パターンの暗部が重なるように前記回路パターンの倍率及び/又は直交を含む補正が行われていることを特徴とするパターン転写用マスク。

IPC (3件)：

G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

FI (5件)：

G03F1/08 A ,  G03F1/08 N ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 531M ,  H01L21/30 517

Fターム (8件)：

2H095BB02 ,  2H095BB33 ,  2H095BB36 ,  2H095BE08 ,  2H095BE10 ,  5F046AA25 ,  5F046GD10 ,  5F046GD11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 反射型マスクの作製方法と製造装置およびこれを用いた反射型マスク、該反射型マスクを用いた露光装置と半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-031711   出願人：キヤノン株式会社